公开资料显示，SK 海力士的 1c nm 工艺预计在 2027 年初可能成为其主要 DRAM 制程

根据一份可追溯的公开资料，目前确认的信息指向 SK 海力士的下一代 DRAM 制程发展趋势。该信息来源于韩媒 ChosunBiz 的报道。

核心结论方面，韩媒 ChosunBiz 报道指出，SK 海力士的第 6 代 10nm 级 DRAM 工艺 1c nm 有望在 2027 年初超越 1b nm，从而成为 SK 海力士的第一大内存制程。这标志着该企业在下一代存储器技术路线上的重要进展。

从时间线和产能变化来看，资料提供了具体的季度预测数据。数据显示，SK 海力士的 1c nm 在其总 DRAM 产能中的占比预计将呈现逐季度的快速增长态势：从 2026 年第一季度到 2027 年第一季度，该比例分别达到 10%、13%、24%和 34%，并在预测周期内达到 35%。

在制程的演进路径上，SK 海力士在 HBM4 内存中使用了 1b nm DRAM Die，而其后续的 HBM4E 则计划升级到使用 1c nm DRAM Die。这表明了公司在不同代际产品中对先进工艺节点的持续推进。

此外，资料还描绘了制程间的竞争格局变化。预计到 2027 年初，SK 海力士的 1b nm 产能占比将达到 33%，与 1c nm 的高占比形成交叉和并存的状态。同时，业内预测三星电子与美光的第 6 代 10nm 级 DRAM 产能占比在 2026 年第二季度末分别为 16% 和 19%。

背景解释方面，这些制程的迭代和产能转移，直接关系到存储器行业对先进封装和更小节点工艺的需求。HBM（高带宽内存）技术的升级，特别是从 HBM4 到 HBM4E 的跨越，是驱动 DRAM 制程进步的关键动力。

影响分析方面，SK 海力士 1c nm 工艺的崛起，预示着其在未来存储器市场中的核心竞争力将进一步增强。产能占比的快速攀升，意味着该工艺节点将在短期内成为支撑公司主要业务线的关键支柱。

读者提示需要注意的是，所有关于产能占比和时间节点的描述均基于韩媒 ChosunBiz 的报道内容，属于信息预测范畴，并非已确定的市场最终结果。因此，在评估行业发展时，应将此视为一份可参考的趋势分析报告。

来源限定说明：本次梳理的所有信息均严格限定于来自 IT之家转载的韩媒 ChosunBiz 的报道内容，不涉及任何其他渠道或多方交叉验证的信息。